东科半导体推出合封 GaN PFC 芯片 DK8318,面向新一代高功率密度快充电源
创始人
2025-12-10 18:09:04
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前言

东科半导体自2020年以来持续深耕合封芯片领域,先后推出业内首款全合封氮化镓不对称半桥产品、业界唯一的全合封高压有源箝位反激(ACF)芯片、合封准谐振(QR)反激芯片,以及高集成度的同步整流合封芯片系列,这些产品在简化外围器件、降低调试难度和控制成本上取得了成功 。通过将功率器件、驱动和控制器合而为一,可有效减少PCB面积和连线寄生,提升系统集成度与可靠性。

在 3 月 28 日举行的 2025(春季)亚洲充电展·亚洲充电大会上,东科半导体曾预告将推出全新的合封 PFC 芯片 DK83XX 系列。近日,首款产品 DK8318 正式发布,将 700V/101mΩ GaN 功率管与 CRM/DCM PFC 控制器高度集成于 ESOP16L 封装,配合谷底导通、输出电压分段、输入功率补偿以及极低待机功耗设计,面向 180W 以内高功率密度电源应用。接下来充电头网将对这款新品进行详细介绍。

东科DK8318

DK8318 是一款面向 180W 以内高性能离线电源的临界/断续模式 PFC 转换芯片,内置 700V / 101mΩ 超低导通电阻氮化镓功率管,并集成控制与功率器件,可为适配器、电脑电源、打印机电源以及 LED 驱动等前级 PFC 环节提供高功率密度、低损耗的一体化方案。

DK8318 支持 85–265Vac 宽范围输入,可与后级 Flyback、AHB、LLC 等多种隔离拓扑灵活搭配,帮助整机轻松实现高效率、高功率因数与小体积的综合优化。同时提供智能母线电压分段功能,低线时将母线压降至约 264V,以减小损耗和发热,高线时恢复至约 400V,兼顾效率与后级拓扑设计空间,这是相对传统 PFC 方案的一大差异化优势。

在控制架构上,DK8318 重载工作于临界导通模式(CRM),轻载及待机阶段自动切换至断续导通模式(DCM),配合谷底导通技术,有效降低开通损耗和开关噪声,有效提升系统在全负载范围内的效率与 EMI 表现。

DK8318 通过优化待机控制及内部功耗管理,将无负载功耗降至 25mW@115Vac、39mW@230Vac 的量级,即在 PFC 不停机的前提下,依然可以满足 CoC V5 Tier 2 与 DoE Level VI 能效法规要求。这意味着整机设计不需要额外增加复杂的 PFC 旁路或关断电路,就能轻松通过待机功耗测试,降低系统设计难度与成本。

DK8318 内置完善的多重保护机制,包括 VCC 欠压保护、输出过压/欠压保护、两级过流保护、旁路二极管短路保护、电流采样电阻开路保护以及过温保护等,确保系统安全可控。DK8318 还对 GaN 器件电流能力与温度关系进行了专门设计与规范,结合较高的 ESD 指标,让该芯片在高频、高 dv/dt 应用环境中仍能保持良好可靠性。DK8318 采用 ESOP16L 封装。

充电头网总结

DK8318 将 700V 低导通电阻 GaN 功率管与临界/断续模式 PFC 控制器集成于一颗 ESOP16L 芯片之中,支持 85–265Vac 宽输入,重载 CRM、轻载 DCM 并结合谷底导通和 400V/264V 母线分段设计,在 180W 以内应用中兼顾高效率、高功率因数与更佳的低线损耗和热表现,同时配合极低待机功耗和完善保护,明显简化了高功率密度电源的 PFC 设计难度。

DK8318 这类集成合封 GaN PFC 方案,有助于降低工程团队驾驭高频 GaN 与高功率因数设计的门槛,加快高功率密度、小型化电源在适配器、显示器电源以及 LED 驱动等领域的升级迭代。

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