ASM申请室装置及半导体处理系统专利，实现材料层沉积及制造室装置方法
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2026-01-01 11:37:28
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国家知识产权局信息显示，ASM IP私人控股有限公司申请一项名为“室装置、半导体处理系统、材料层沉积及制造室装置方法”的专利，公开号CN121228236A，申请日期为2025年6月。
专利摘要显示，一种室装置包括：室主体，其具有带有注入端和纵向相对的排出端的室主体；衬底支撑件，其布置在室主体内并且被支撑以在其中围绕旋转轴线旋转；以及上反射器，其支撑在室主体上方，并且在其中限定横向外第一弧形凹部和横向外第二弧形凹部。横向外第一弧形凹部通过第一弧形凹部横向偏移与旋转轴线分离，横向外第二弧形凹部通过第二弧形凹部横向偏移与旋转轴线分离，并且第二弧形凹部横向偏移大于或小于第一弧形凹部横向偏移。还描述了半导体处理系统和材料层沉积方法。
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