中瑞宏芯申请半导体器件及其制造方法专利，屏蔽区设置于第一栅极区与半导体衬底之间
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2026-01-01 22:08:41
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国家知识产权局信息显示，苏州中瑞宏芯半导体有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN121240520A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本公开提供了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括形成于半导体衬底上的外延层、结型场效应晶体管、开关晶体管；结型场效应晶体管设置于外延层中，包括第一源极区、第一栅极区、第一漏极区以及屏蔽区，屏蔽区设置于外延层中，并位于第一栅极区与半导体衬底之间；开关晶体管设置于外延层中，开关晶体管包括第二源极区、第二漏极区以及第二栅极区；其中，屏蔽区与第二漏极区电性连接，第二源极区与第一源极区电性连接，第一栅极区与第二栅极区配置为由同一栅极信号控制。
天眼查资料显示，苏州中瑞宏芯半导体有限公司，成立于2021年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本927.7342万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州中瑞宏芯半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息65条，此外企业还拥有行政许可7个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
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