富芯半导体取得屏蔽栅沟槽型功率器件制备方法专利
创始人
2026-01-09 12:12:08
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国家知识产权局信息显示，杭州富芯半导体有限公司取得一项名为“一种屏蔽栅沟槽型功率器件的制备方法”的专利，授权公告号CN120751754B，申请日期为2025年9月。

天眼查资料显示，杭州富芯半导体有限公司，成立于2019年，位于杭州市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本945000万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州富芯半导体有限公司参与招投标项目35次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息345条，此外企业还拥有行政许可27个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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