镓楠半导体申请氮化镓双向器件制作方法专利，可降低光罩和工艺成本_电池资讯

镓楠半导体申请氮化镓双向器件制作方法专利，可降低光罩和工艺成本

创始人

2026-01-10 16:08:32

0次

国家知识产权局信息显示，深圳镓楠半导体科技有限公司申请一项名为“一种氮化镓双向器件及其制作方法”的专利，公开号CN121310590A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本申请提供了一种氮化镓双向器件，包括外延结构、两个漏极、栅极、第一钝化单元、第二钝化单元和场板，第一钝化单元包括覆盖在栅极上方的第一钝化平板部和覆盖在栅极和漏极之间的第二钝化平板部；第二钝化单元形成在第二钝化平板部上；场板包括金属场板层和欧姆场板层，金属场板层包括形成在第一钝化平板部上方的第一平板单元和形成在第一钝化单元上方的第二平板单元；欧姆场板层形成在金属场板层上，至少部分的欧姆场板层位于栅极的正上方；欧姆场板层与漏极金属通过欧姆金属淀积而成。本发明提出的一种氮化镓双向器件，场板由金属场板层和欧姆金属层组成，金属场板层能够有效阻挡欧姆金属层高温退火导致的金属扩散。由于使用欧姆同步工艺完成场板制造可以降低光罩和工艺成本。

天眼查资料显示，深圳镓楠半导体科技有限公司，成立于2023年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本436.3149万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳镓楠半导体科技有限公司财产线索方面有商标信息7条，专利信息38条，此外企业还拥有行政许可7个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

投资降低器件平板导体工艺专利板层金属镓楠平板部金属场欧姆场板层场板

上一篇：晶艺半导体取得芯片等效阻抗测试专利，可快速准确测量等效阻抗

下一篇：原创突发特讯！中微半导体通告全球：董事长尹志尧已放弃美国国籍，恢复中国籍，引发全球高度关注

镓楠半导体申请氮化镓双向器件制作方法专利，可降低光罩和工艺成本

相关内容

热门资讯