SK海力士129亿美元建新厂加速AI内存芯片生产_电池资讯

SK海力士129亿美元建新厂加速AI内存芯片生产

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2026-01-13 14:12:27

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韩国存储芯片制造商SK海力士于1月13日宣布，将在韩国清州市投资19万亿韩元（约合129亿美元）建设一座先进的芯片封装工厂。根据公司声明，该工厂命名为P&T7，计划于2026年4月开工建设，目标在2027年底前竣工。新工厂占地约23.14万平方米，将与清州已有的M15X DRAM前端晶圆厂形成协同，加速AI内存产品的生产。

SK海力士表示，此次大规模投资旨在应对全球人工智能领域竞争加剧所引发的、对专用存储芯片的激增需求。公司特别指出，市场对高带宽存储芯片的需求正在快速增长。高带宽存储芯片是一种基于3D堆叠技术的高性能DRAM，因其在带宽、功耗和空间利用率上的优势，已成为人工智能应用，特别是大模型训练与高性能计算场景的核心部件。

该公司在声明中预计，从2025年至2030年，HBM市场的年复合增长率将达到33%。作为英伟达的核心HBM供应商，SK海力士在HBM市场占据领先地位。

此次在韩国的投资是SK海力士近期为满足AI需求而进行的产能扩张之一。此前，该公司已宣布在美国印第安纳州投资建设AI内存封装工厂。行业数据显示，AI服务器的存储需求是传统服务器的数倍，这推动了高端存储产品的供需紧张和价格上涨。

市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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