苏州能讯申请半导体器件专利，降低半导体器件的寄生电容
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2025-07-02 10:38:50
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金融界2025年7月2日消息，国家知识产权局信息显示，苏州能讯高能半导体有限公司申请一项名为“半导体器件”的专利，公开号CN120239313A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件。所述半导体器件包括外延结构、第一介质层、栅极、空气栅场板以及第二介质层；所述第一介质层覆盖所述外延结构；所述栅极设置于所述外延结构设置所述第一介质层的一侧；所述空气栅场板设置于所述栅极远离所述外延结构的一侧并与所述栅极接触；所述第二介质层覆盖所述第一介质层、所述栅极和所述空气栅场板中背离所述外延结构的所有表面；所述栅极被所述第一介质层暴露的部分的厚度，大于所述第二介质层覆盖所述第一介质层且与所述栅极场板交叠的部分的厚度的二倍。
天眼查资料显示，苏州能讯高能半导体有限公司，成立于2011年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本40284.5万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州能讯高能半导体有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目14次，财产线索方面有商标信息22条，专利信息316条，此外企业还拥有行政许可15个。
来源：金融界
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