01 产业链全景图

02 存储行业

存储芯片本质是半导体做的 “电子记忆仓库”，专门用来存放数据和程序，不管是手机、电脑这类消费电子产品，还是企业数据中心、云计算平台、高性能计算系统，要实现数据存储功能都离不开它，是核心关键部件。

目前半导体存储市场里， DRAM 和 NAND Flash 是绝对主力，其中 DRAM 占了约 55.9% 的市场份额，NAND Flash 占比大概 44.0%，两者几乎垄断了整个存储赛道。具体分类如下：

目前主流的DRAM 和 NAND Flash对比如下：

行业周期正值上行

存储市场的周期属性特别明显，现在正处在往上走的上行期。

回头看历史数据， 2020 到 2021 年全球存储市场涨得很猛，核心是供需两端一起发力：一方面存储工艺越来越成熟，原厂能造更多芯片，另一方面终端需求也在扩大，双重刺激下市场一路走高。尤其是 2021 年，半导体行业出现产能短缺，下游模组厂商为了保住市场份额，不停追加订单囤货，直接带火了整个存储芯片市场。

但到了 2022 年，受宏观环境、俄乌冲突等影响，半导体存储行业进入下行周期，消费电子需求和出货量都跟着下滑。 不过经过一段时间的调整，上游原厂减少产能、消化了库存压力，供给端慢慢收缩；再加上下游需求回暖，消费电子、AI 服务器这些市场都变得景气起来。多因素叠加下，2024 年存储行业市场规模明显回升，正式开启新一轮上行周期。

03 行业竞争格局及标的梳理

03-1、DRAM：三足鼎立，国产突破

DARM从2025年初开始就原地起飞，价格一路飙升：

全球 DRAM 市场是典型的 “三巨头说了算” 的寡头垄断格局，三星、SK 海力士、美光三家原厂牢牢占据主导地位，国内目前只有长鑫存储实现了规模化突破，站稳了脚跟。

随着 AI 需求爆发，原厂纷纷把产能和扩产重点转向 DDR5、HBM 这类高毛利产品，逐渐退出 DDR4 等利润较低的利基市场，这直接导致 DRAM 相关产品供给收紧，价格有望持续上涨。

从具体市场份额来看，根据 CFM 闪存数据，2025 年二季度 SK 海力士份额涨到 38.2%，登顶全球第一，还进一步拉开了和三星的差距；三星以 33.5% 位列第二；美光稳坐第三把交椅，份额 22.0%，对应营收达 71 亿美元。

国内方面，Counterpoint 预测显示，长鑫存储今年 DRAM 出货量将同比增长 50%，在全球 DRAM 市场的出货份额预计突破 5%。这一突破不仅填补了国内高端存储领域的空白，更在全球供应链中撑起了新的竞争支点。

新兴方向-HBM

HBM 是采用 3D 堆叠 + 硅通孔（TSV）技术的高性能 DRAM，凭借高带宽、低延迟的核心优势降低传输损耗，直接打破芯片性能瓶颈。

HBM 作为 AI / 高性能计算核心存储，市场集中度远超传统 DRAM，SK 海力士、三星、美光三巨头主导格局：SK 海力士先发领跑 HBM3/HBM3E，三星技术迭代追赶，美光靠客户合作扩份额；国内长鑫存储实现技术突破，成潜在竞争者。

产品端三巨头各有侧重：三星全产业链布局，海力士聚焦 HBM；产能上三星规划最大，海力士与美光相当，合肥长鑫加速追赶。

核心企业

全球来看，三星+美光+海力士的垄断地位依旧稳健，最新情况如下：

国产企业以长鑫为代表，正在突破全球的垄断。长鑫在 DRAM 领域走 DDR4 与 DDR5 “双线并行” 路线，2019 年就实现 8GB DDR4 产品量产， 成功撕开三星、SK 海力士、美光三巨头的垄断格局，成为国内首个规模化突破的企业。

长鑫 DRAM 实现 DDR4/DDR5 双线布局：2023 年推出 LPDDR5 系列并获小米等验证。 IPO 拟募资 345 亿元用于技改、研发及扩产，上市后将加速国产份额提升，补齐行业短板并带动产业链发展。

03-2、存储：NAND Flash

全球 NAND Flash 市场是典型的 “四大巨头主导” 格局， 三星、SK 海力士、铠侠、美光牢牢掌控市场，供给端整体稳定，头部厂商扩产节奏偏谨慎； 国内长江存储实现技术突破后稳步提升份额，已成为全球市场中不可忽视的供给力量。

AI 服务器需求爆发直接带火企业级 SSD，这类高端应用对高良率 NAND 晶圆消耗极大，再加上先进制程产能爬坡速度有限，行业呈现出 “总量供给平稳、高端产能紧缺” 的核心特征。

2025 年二季度全球 NAND Flash 市场稳健增长，据 TrendForce 数据： 三星以 32.9% 市占率稳居第一，SK 集团 21.1% 位列第二，铠侠（13.5%）、美光（13.3%）、闪迪（12%）分列三至五位。当前竞争格局已明确：韩系厂商通过减产稳定价格，国内头部存储企业则凭借技术突破与产能扩张加速追赶，全球市场正迎来新的竞争平衡。

产能方面，截至 2025 年三季度， 全球 NAND 月产能约 170 万片（12 英寸晶圆）：三星 60 万片、SK 海力士 30.8-36.8 万片、美光 23 万片、铠侠 / 西部数据合计 40 万片，长江存储快速追赶。

技术端： 三星量产 286 层（后续规划 400 层 +），SK 海力士量产 321 层（计划 400 层），美光量产 276 层，铠侠 / 西部数据量产 218 层；国产长江存储量产 232 层，旺宏量产 192 层。

核心企业

03-3、NOR Flash（非易失性闪存）

NOR Flash 是一种 “小而快” 的非易失性闪存，就像电子设备里的 “随身记事本”—— 容量不大（通常以 MB 为单位），但读取速度快、稳定性强，断电后数据也能长期保留。

它的核心优势是 “读得快、用得稳”， 适合存储需要快速启动、频繁读取的小体量数据，比如手机、路由器的启动程序（BIOS）、物联网传感器的固件、汽车电子的控制程序等。和 NAND Flash（“大容量硬盘”）不同，NOR Flash 不用先整片擦除就能读取单个数据，启动效率更高， 但写入 / 擦除速度较慢、单位容量成本高，所以不适合存海量文件。

简单说，NOR Flash 的定位是 “嵌入式设备的启动与控制存储”，靠 “快、稳、小” 的特点，成为各类电子设备里不可或缺的 “小核心”。

核心格局

全球 NOR Flash 市场呈现 “国际巨头稳守核心、国内企业快速追赶” 的格局：国际巨头曾靠技术与产能优势占据核心份额，后来逐步退出，华邦、旺宏、兆易创新凭借成熟工艺和全品类覆盖站稳领先位置。

这个市场看似分散，但头部集中度不低，前四大厂商华邦、旺宏、兆易创新、赛普拉斯合计占据 74.6% 份额，话语权集中。

国内除兆易创新外，普冉股份等企业也实现技术突破与规模化量产，在消费电子、物联网等中低端细分领域形成强竞争力，国产化替代进程持续提速。

核心企业

04 下游需求旺盛

存储芯片下游应用广泛，手机是最大需求端，占比 38.7%，服务器、电脑、消费电子、显卡依次以 15.0%、12.9%、9.4%、7.4% 的占比紧随其后。

5G 落地与数字经济发展催生海量数据存储需求，全球数据总量呈爆发式增长，如同蓄水池水量持续涌入，需要更大容量的存储载体承接。

存储芯片直接决定手机、电脑等终端设备的存储容量、运行速度与软件流畅度，也是数据中心和服务器承载海量数据、支撑互联网服务与云计算的核心组件。

随着移动智能终端与数据中心服务器需求攀升，全球存储器市场规模随之扩大。

AI端侧爆发

在 AI 端侧领域，AI 智能手机、AIPC、AI 眼镜及智能驾驶等新场景正加速落地，带动 AI 端侧应用对存储产品的需求进入爆发式增长阶段。

据弗若斯特沙利文数据，2024 年 AI 端侧存储市场规模已达 179 亿美元，2025 至 2029 年期间该市场增速将达到 36.4%，这一增速如同赛道中的领跑者，在存储芯片所有下游应用领域中位居首位。

人工智能服务器、智能驾驶、物联网等多元场景需求，如同多台引擎驱动各类存储产品差异化增长，共同推动市场扩容。据机构数据：

LPDDR：2025-2029 年复合年增长率（CAGR）达 15.7%，是存储赛道的领跑者，较 2020-2022 年 3.1% 的增速大幅跃升，主要因服务器和 AI 端侧对高带宽、低功耗存储的需求激增。

内存模块：同期 CAGR 为 14.8%，由数据中心和汽车电子对 DDR5 等新一代内存的需求推动，在 AI 服务器、智能驾驶域控制器中表现突出。

嵌入式存储：同期 CAGR 为 7.2%，受智能汽车、移动设备和端侧 AI 对高集成度存储的需求拉动。

固态硬盘（SSD）：同期 CAGR 为 6.0%，受益于数据中心、端侧及工业应用的持续存储需求。