华力集成电路申请金属CMP后清洗方法专利，能改善金属CMP后的凹陷缺陷
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2026-01-22 20:10:18
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国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“金属CMP后的清洗方法”的专利，公开号CN121368354A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明公开了一种金属CMP后的清洗方法，包括：在具有滚动刷的第一清洗模块中对完成了金属CMP的晶圆进行第一次清洗，第一次清洗中按照减少DIW连续接触时间和DIW总接触时间的要求设置第一循环步骤，以减少金属在DIW的作用下发生电偶腐蚀，采用化学药液进行刷冲来补偿DIW连续接触时间和DIW总接触时间的降低对清洗效果的降低，使清洗效果得到保持。在具有铅笔刷的第二清洗模块中完成对晶圆的第二次清洗，第二次清洗中按照减少DIW连续接触时间和DIW总接触时间的要求设置第二循环步骤，以减少金属在DIW的作用下发生电偶腐蚀。本发明能防止发生由DIW环境引起的电偶腐蚀，从而能改善金属CMP后的凹陷缺陷。
天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2094次，专利信息2679条，此外企业还拥有行政许可397个。
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来源：市场资讯
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