三安光电申请发光二极管及发光装置专利，提高发光二极管的发光亮度_电池资讯

三安光电申请发光二极管及发光装置专利，提高发光二极管的发光亮度

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2026-01-26 21:11:18

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国家知识产权局信息显示，安徽三安光电有限公司申请一项名为“一种发光二极管及发光装置”的专利，公开号CN121398284A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明公开了一种发光二极管及发光装置，该发光二极管至少包括一外延结构，该外延结构至少包括第一半导体层、过渡层、有源层及第二半导体层。其中，第一半导体层包括第一掺杂层，过渡层形成于第一半导体层上，且与第一掺杂层相接触。过渡层的N型掺杂浓度小于第一掺杂层的N型掺杂浓度。有源层形成于第一半导体层上，第二半导体层形成于有源层上。由此，本发明通过在第一半导体层与有源层之间设置过渡层，该过渡层的N型掺杂浓度小于第一掺杂层的N型掺杂浓度，进而能够缓解电子传输速率过快的问题，促进电子的横向迁移率，提高有源层内电子和空穴的复合效率，进而提高发光二极管的发光亮度。

天眼查资料显示，安徽三安光电有限公司，成立于2010年，位于芜湖市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本298000万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽三安光电有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目23次，专利信息394条，此外企业还拥有行政许可25个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业显示投资半导体三安光电装置有源过渡浓度专利过渡层杂层 N型半导体层二极管

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