晶合集成申请半导体结构制作方法专利，可简化制程并减少缺陷_电池资讯

晶合集成申请半导体结构制作方法专利，可简化制程并减少缺陷

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2026-01-28 11:42:31

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国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体结构的制作方法、半导体结构及集成电路”的专利，公开号CN121398580A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明公开了一种半导体结构的制作方法、半导体结构及集成电路，属于半导体技术领域，所述制作方法至少包括以下步骤：蚀刻多层层间介质层，在器件区形成垂直接触孔，在密封环区形成异形接触孔，且异形接触孔的径向尺寸随着深度增加而减小；蚀刻垂直接触孔外围的部分多层层间介质层，在接触孔远离底层金属层的一侧形成沟槽，接触孔靠近底层金属层的一侧形成通孔；同步蚀刻多层层间介质层顶部，使相邻的异形接触孔连通；以及在通孔、沟槽和异形接触孔内沉积导电材料层，通孔和沟槽中的导电材料层形成大马士革结构，异形接触孔内的导电材料层形成密封环。通过本发明提供的一种半导体结构的制作方法，可简化制程并减少缺陷。

天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200759.1697万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目636次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1599条，此外企业还拥有行政许可22个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业显示投资集成通孔金属层导体晶合结构专利半导体层间异形介质层

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