联和存储科技申请高带宽闪存芯片ESD保护电路优化方法及系统专利，提高芯片电路安全性以及芯片使用寿命_电池资讯

联和存储科技申请高带宽闪存芯片ESD保护电路优化方法及系统专利，提高芯片电路安全性以及芯片使用寿命

创始人

2026-01-29 12:41:47

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国家知识产权局信息显示，联和存储科技（江苏）有限公司申请一项名为“高带宽闪存芯片ESD保护电路优化方法及系统”的专利，公开号CN121417111A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明涉及芯片静电保护领域，尤其涉及一种高带宽闪存芯片ESD保护电路优化方法及系统。该方法包括以下步骤：通过电荷成像模块进行多点同步观测，提取ESD多步观测信息；基于所述ESD多步观测信息识别高密度电荷区域；定义安全电荷阈值，对高密度电荷区域进行电荷安全性评估，进入动态调控模式；基于动态调控模式下，进行电荷泄放路径动态规划，并计算实时残余电荷密度；检测所述实时残余电荷密度低于安全电荷阈值，完成局部泄放电路保护作业。本发明对高于安全阈值的静电放电风险事件进行快速响应与高效处理，提高芯片电路安全性以及芯片使用寿命。

天眼查资料显示，联和存储科技（江苏）有限公司，成立于2021年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1818万人民币。通过天眼查大数据分析，联和存储科技（江苏）有限公司共对外投资了6家企业，财产线索方面有商标信息20条，专利信息87条，此外企业还拥有行政许可9个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业进行投资电路联和芯片高密度带宽电荷专利阈值闪存芯片

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