长鑫存储申请半导体结构专利，有利于优化过孔结构的回流路径_电池资讯

长鑫存储申请半导体结构专利，有利于优化过孔结构的回流路径

创始人

2026-01-30 11:42:00

0次

国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构”的专利，公开号CN121419619A，申请日期为2021年7月。

专利摘要显示，本申请实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构，包括：沿预设方向排列的至少一层地层和至少一层电源层，以及沿预设方向延伸的过孔结构；第一保护结构以及第二保护结构，在沿环绕过孔结构侧壁的方向上，第一保护结构和第二保护结构依次环绕过孔结构侧壁设置，且第一保护结构与第二保护结构相互间隔，第一保护结构与过孔结构之间具有第一间隔，第一保护结构至少部分区域与至少一层地层电连接，第二保护结构至少部分区域与过孔结构之间具有第二间隔，且第二保护结构与至少一层电源层电连接。本申请实施例有利于优化过孔结构的回流路径和降低过孔结构和周围电路间的串扰，以提高过孔结构传递电信号的传输质量。

天眼查资料显示，长鑫存储技术有限公司，成立于2017年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2388760.15663万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫存储技术有限公司参与招投标项目409次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可61个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

显示电源层投资回流存储导体过孔保护结构专利间隔侧壁半导体

上一篇：原创利润增800%，台湾内存芯片厂：感谢三星、SK海力士涨价！

下一篇：正泰电源取得逆变器多功能电路专利

长鑫存储申请半导体结构专利，有利于优化过孔结构的回流路径

相关内容

热门资讯