新微半导体申请GaN基HEMT器件及制作方法专利，提升器件性能
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2026-01-31 16:42:59
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国家知识产权局信息显示，上海新微半导体有限公司申请一项名为“一种GaN基HEMT器件及制作方法”的专利，公开号CN121442728A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明提供一种GaN基HEMT器件及制作方法，形成器件PGaN栅极的过程中，同步于有源区的隔离区域形成PGaN隔离环，通过形成PGaN隔离环耗尽其下方的2DEG，实现有源区的隔离，不需要额外增加步骤，节省一张Mask，降低成本，并且不会对器件造成损伤，提升器件性能。另外，采用双栅双向导通的晶体管作为ESD泄流管，无论是主体晶体管的栅端还是源端有突发静电，都通过这一个ESD泄流管进行保护，减少了一个ESD泄流管的使用，降低器件的版图面积，使面积减少为使用两个ESD泄流管的1/4。
天眼查资料显示，上海新微半导体有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本270950万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新微半导体有限公司参与招投标项目843次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息135条，此外企业还拥有行政许可83个。
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来源：市场资讯
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