长鑫科技申请半导体结构制备方法专利，改善高深宽比刻蚀工艺中硬掩膜层变形问题_电池资讯

长鑫科技申请半导体结构制备方法专利，改善高深宽比刻蚀工艺中硬掩膜层变形问题

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2026-01-31 22:42:37

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国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构的制备方法与半导体结构”的专利，公开号CN121443041A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本公开提供一种半导体结构的制备方法与半导体结构，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供晶圆，所述晶圆包括衬底，所述衬底上设置有基础层；在所述基础层上形成硬掩膜层，所述硬掩膜层从下到上依次包括第一氧化硅层、多晶硅层、第二氧化硅层、碳层；在所述硬掩膜层上形成抗反射层和具有预设图形的光阻层；以所述光阻层为掩膜刻蚀所述抗反射层和所述硬掩膜层，以将所述预设图形转移到所述硬掩膜层；以所述硬掩膜层为掩膜刻蚀所述基础层，以在所述基础层中形成具有所述预设图形的目标结构。本公开改善了高深宽比刻蚀工艺中硬掩膜层变形以及图形失效的问题，确保将图形精确转移到基础层中，以制备出高质量的目标结构，提升产品性能。

天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6019279.7469万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了18家企业，参与招投标项目1085次，财产线索方面有商标信息234条，专利信息645条，此外企业还拥有行政许可34个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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