国家知识产权局信息显示,武汉新芯集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利,公开号CN121443133A,申请日期为2024年7月。
专利摘要显示,本发明涉及一种半导体结构及其形成方法。所述形成方法中,利用第一晶圆上的第一焊盘对第一晶圆进行第一测试以筛选出测试合格的所述第一晶圆来形成堆叠晶圆,在形成堆叠晶圆后,利用位于所述堆叠晶圆一端的的第二焊盘进行第二测试以筛选出测试合格的堆叠芯片,之后在第二晶圆结构表面堆叠至少一层测试合格的堆叠芯片,由于构成堆叠晶圆的第一晶圆以及堆叠于第二晶圆结构表面的堆叠芯片均经过了测试并合格,有助于提高半导体结构的良率。
天眼查资料显示,武汉新芯集成电路股份有限公司,成立于2006年,位于武汉市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本847900.6412万人民币。通过天眼查大数据分析,武汉新芯集成电路股份有限公司共对外投资了2家企业,参与招投标项目225次,财产线索方面有商标信息67条,专利信息1817条,此外企业还拥有行政许可106个。
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来源:市场资讯