成都奕成申请集成无源器件封装结构专利，增加芯片封装的集成密度_电池资讯

成都奕成申请集成无源器件封装结构专利，增加芯片封装的集成密度

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2026-02-06 11:14:45

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国家知识产权局信息显示，成都奕成集成电路有限公司申请一项名为“集成无源器件的封装结构及封装方法”的专利，公开号CN121463861A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明公开了一种集成无源器件的封装结构及封装方法，包括集成无源器件的芯片制作；在基板上进行背面再分布层的制作，并且在背面再分布层的正面制作垂直互连结构；倒装芯片至背面再分布层的正面，无源器件与背面再分布层电连接；对垂直互连结构、垂直互连结构的正面及芯片进行塑封，塑封后进行正面减薄露出垂直互连结构及芯片结构的端部；在第一塑封层的正面进行重布线层并凸点下金属化层，使获得的布线层结构分别与垂直互连结构、芯片结构电连接；在布线层结构的正面进行LPDDR芯片的安装；本申请中，实现了无源器件的集成封装，充分利用了芯片背面的空间，增加了芯片封装的集成密度。

天眼查资料显示，成都奕成集成电路有限公司，成立于2017年，位于成都市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本234500万人民币。通过天眼查大数据分析，成都奕成集成电路有限公司参与招投标项目355次，财产线索方面有商标信息28条，专利信息151条，此外企业还拥有行政许可227个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

奕成进行成都投资器件芯片集成密度结构专利正面

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