存储的涨价潮仍在持续！

2月9日，市场研究公司Counterpoint表示，截至2026年第一季度，内存价格环比上涨80%—90%，迎来前所未有的创纪录暴涨。

另外，高盛大幅上调了DRAM供应短缺预期，并发出警告称，市场正处于过去15年来最严重的存储芯片供应短缺前夜。而在几天之前，TrendForce集邦咨询全面上修第一季DRAM、NAND Flash各产品价格季度增长幅度，预估整体Conventional DRAM合约价将从1月初公布的季增55%—60%，改为上涨90%—95%。

今日，在韩国证券市场上，存储芯片概念股集体大涨，SK海力士涨近6%，三星电子涨近5%。在A股市场上，存储芯片概念股也集体走强，炬光科技涨超17%，国芯科技涨超12%，复旦微电涨近10%，兆易创新、长电科技等涨超6%。

一季度内存价格飙升90%

Counterpoint发布的《2月内存价格追踪报告》显示，截至2026年第一季度，内存价格环比上涨80%—90%，本轮上涨的主要推手是通用服务器DRAM价格大幅攀升。此外，去年第四季度表现相对平稳的NAND闪存，在第一季度也同步上涨80%—90%。叠加部分HBM3e产品价格走高，市场正呈现全品类、全板块全面加速上涨态势。

以服务器级内存为例，64GB RDIMM合约价已从去年第四季度的450美元，飙升至第一季度的900美元以上，且二季度有望突破1000美元关口。高级分析师Jeongku Choi指出：“存储器行业盈利水平预计将达到前所未有的高度。2025年第四季度，DRAM营业利润率已达到60%区间，这是通用DRAM利润率首次超过HBM。2026年第一季度，DRAM利润率将首次突破历史峰值。尽管如此，这一水平要么成为新的常态，要么形成极高的基准——当前看似稳固，但一旦进入下一轮下行周期（若发生），市场表现可能会更加惨淡。”

此外，TrendForce集邦咨询最新数据显示，受惠于AI浪潮的推升，存储器与晶圆代工产值均将在2026年同步创下新高。存储器产业受供给吃紧与价格飙升影响，产值规模大幅扩张至5516亿美元。尽管晶圆代工产值同步创下2187亿美元的新高纪录，但存储器产值规模已攀升至晶圆代工的2倍以上。

上一次存储器超级循环落在2017—2019年，主要由云端数据中心建置需求所驱动，存储器产值当时也与晶圆代工拉开了显著差距。然而，此次由AI需求驱动的循环与前一次相比，缺货的状况更为全面。AI产业重心由模型训练转向大规模推理应用，更强调实时响应能力与数据存取效率，带动服务器端对高容量、高带宽DRAM的需求持续扩大，单机搭载容量亦同步提升。除此之外，英伟达在Vera Rubin平台的推广中，强化了对高效能存储的需求，提升Enterprise（企业级）SSD的重要性。为了在Token生成效能与成本之间取得平衡，业者正加速采用大容量QLC SSD以应对海量数据存取。

另一方面，客户的需求也已显著改变，不同于过去以终端客户为主，此次抢货潮由CSP（云端服务供应商）拉动，不仅采购量呈指数级成长，对价格的敏感度相对较低，使得价格涨幅同样超越前一次超级循环，并创下新纪录。

此前，TrendForce集邦咨询全面上修第一季DRAM、NAND Flash各产品价格季成长幅度，预估整体Conventional DRAM合约价将从一月初公布的季增55%—60%，改为上涨90%—95%，NAND Flash合约价则从季增33%—38%上调至55%—60%，并且不排除仍有进一步上修空间。

高盛大幅上调存储芯片供需缺口预期

据追风交易台，知名投行高盛在2月8日的报告中表示，2026—2027年全球存储器市场将经历历史上最严重的供应短缺之一，DRAM、NAND和HBM三大品类供需缺口均大幅扩大。

高盛最新预测显示，2026年和2027年DRAM供不应求幅度将达到4.9%和2.5%，远超此前预期的3.3%和1.1%。其中，2026年的供应短缺将是过去15年以来最严重的一次。

驱动这一紧张局面的核心因素在于服务器需求的爆发式增长。高盛将2026年/2027年服务器DRAM（不含HBM）需求预期上调6%/10%，预计这两年的增长率将分别达到39%和22%。如果将HBM计算在内，服务器相关DRAM需求将占全球总需求的53%和57%，服务器已成为DRAM需求最重要的驱动力。不过，高盛下调了PC和智能手机的DRAM需求预期。

NAND市场的供需格局同样大幅收紧。高盛预计2026年/2027年NAND供不应求幅度为4.2%/2.1%，高于此前预期的2.5%/1.2%，这将是NAND行业历史上最大规模的短缺之一。其中，企业级SSD需求的强劲增长是主要推动力。高盛将2026年/2027年企业级SSD需求预期上调14%/14%，预计增长率将达到58%/23%，在全球NAND需求中的占比将升至36%/39%。

银河证券指出，1月份，存储市场延续2025年四季度以来的强势上涨态势，DRAM和NAND闪存价格涨幅持续超预期。三星电子、SK海力士等头部厂商一季度合约价大幅上调，其中NAND闪存供应价格上调超100%，DRAM价格涨幅达60%—70%。涨价核心驱动因素包括：AI服务器对HBM需求爆发、数据中心资本开支加码、产能结构性调整等，供需缺口持续扩大，预计本轮涨价周期将延续至2026年年中。当前时点，是存储芯片赛道下一轮周期的新起点，在AI服务器需求高速增长叠加国产替代，看好国内存储产业链相关上市公司的投资机遇。