半水科技申请金属化真空传感器及制备工艺专利，测量不同介质时测量值不受影响_电池资讯

半水科技申请金属化真空传感器及制备工艺专利，测量不同介质时测量值不受影响

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2026-02-16 11:12:43

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国家知识产权局信息显示，半水科技（厦门）有限公司申请一项名为“一种金属化的真空传感器以及制备工艺”的专利，公开号CN121521347A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明提供一种金属化的真空传感器，包括第一硅片、金属化玻璃片、第二硅片以及金属电极，所述第二硅片、金属化玻璃片以及第二硅片依次设置；所述金属电极设置于第一硅片表面，所述第二硅片靠近玻璃层一侧表面具有电容腔，且另一侧表面具有参考腔；所述金属化玻璃片包括玻璃层以及设置于玻璃层上的金属层，所述金属层与金属电极分别位于玻璃层的两表面；该真空传感器还具有连通金属层和金属电极的连接部。本发明的真空传感器通过将电容腔和介质腔分离，测量不同介质时，测量值不受影响；本发明还提供一种的金属化的真空传感器制备工艺。

天眼查资料显示，半水科技（厦门）有限公司，成立于2022年，位于厦门市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，半水科技（厦门）有限公司参与招投标项目1次，专利信息15条，此外企业还拥有行政许可3个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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