上海华力申请半导体测试结构及其制造方法专利，实现了对刻蚀工艺的快速、低成本和高精度验证
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2026-03-05 00:40:09
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国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“半导体测试结构及其制造方法”的专利，公开号CN121604786A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体测试结构及其制造方法。该半导体测试结构包括：半导体衬底、设置在其上的介电层、形成于介电层中并暴露出衬底的通孔、形成在通孔底部的金属半导体化合物层、以及填充在通孔内的导电填充材料。该制造方法包括：提供半导体衬底；形成含通孔的介电层；在通孔内通过注入、沉积金属材料和退火来形成金属半导体化合物层；填充导电材料；并利用电子束检测通孔状态。本发明通过在短流程测试中构建能够模拟接触过有源栅极(COAG)工艺中通孔界面的测试结构，并形成低阻的金属半导体化合物层，解决了电子束检测因高接触电阻产生噪声而无法准确监控通孔开口缺陷的问题，实现了对刻蚀工艺的快速、低成本和高精度验证，缩短了研发周期。
天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2082次，专利信息2753条，此外企业还拥有行政许可397个。
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来源：市场资讯
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