半导体元件工业申请图像传感器相关专利，使电容器电极具备侧向偏移结构
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2026-03-05 10:13:26
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国家知识产权局信息显示，半导体元件工业有限责任公司申请一项名为“图像传感器、形成电容器的方法及电容器”的专利，公开号CN121604539A，申请日期为2025年1月。
专利摘要显示，本公开涉及图像传感器、形成电容器的方法及电容器。一种系统可包括电容器。该电容器可包括第一电极、第二电极以及位于该第一电极与该第二电极之间的绝缘体。该第一电极可具有从该第二电极的周边边缘侧向地偏移的周边边缘。可使用基于单掩模的蚀刻工艺来形成该第一电极和该第二电极的侧向地偏移的周边边缘。
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