国家知识产权局信息显示,碇基半导体股份有限公司申请一项名为“半导体装置”的专利,公开号CN121620194A,申请日期为2025年3月。
专利摘要显示,一种半导体装置,包含主动层、源极电极与漏极电极、源极金属层、漏极金属层以及源极垫。主动层包含主动区。源极电极与漏极电极设置于主动层的主动区上且延伸于第一方向。源极金属层设置于主动区且电性连接至源极电极,其中源极金属层延伸于第二方向并在俯视图中为梯形。漏极金属层设置于主动区且电性连接至漏极电极,其中漏极金属层延伸于第二方向并在俯视图中为梯形。源极垫设置于主动区,其中源极垫电性连接源极金属层,且其中源极垫包含延伸于第一方向上的主体部分以及延伸于第二方向上的分支部分。
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