飞宇微电子申请碳化硅半桥功率模块专利，优化寄生电感_电池资讯

飞宇微电子申请碳化硅半桥功率模块专利，优化寄生电感

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2026-03-06 17:46:43

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国家知识产权局信息显示，北京飞宇微电子电路有限责任公司申请一项名为“碳化硅半桥功率模块”的专利，公开号CN121619927A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本申请提供一种碳化硅半桥功率模块，包括壳体、基板、多个碳化硅芯片和多个电极端子；多个碳化硅芯片包括碳化硅MOSFET芯片和碳化硅SBD芯片，电极端子包括多个功率电极端子；功率电极端子包括焊接区、加宽区、过渡区和引出区，焊接区与基板上的导体区连接，使功率电极端子作为半桥功率电路引出端，引出区位于壳体外部，过渡区位于焊接区与加宽区之间和/或位于引出区与加宽区之间；同一个功率电极端子中的焊接区、过渡区和引出区平行，并且沿法线方向的正投影至少部分重叠；多个功率电极端子中的多个加宽区平行，并且沿多个加宽区的法线方向的正投影至少部分重叠。该功率模块能够优化寄生电感，使碳化硅MOSFET的高频特性得到发挥。

天眼查资料显示，北京飞宇微电子电路有限责任公司，成立于2017年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8000万人民币。通过天眼查大数据分析，北京飞宇微电子电路有限责任公司参与招投标项目6次，专利信息30条，此外企业还拥有行政许可1个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

功率电极投资电感电子电路模块包括碳化硅端子专利焊接区加宽区

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