三星DRAM价格翻倍!全球存储芯片15年最严重短缺,国产替代加速
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2026-03-06 18:45:34
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据韩国媒体《Etnews》报道,三星电子已于2月与主要客户完成2026年一季度DRAM供货价格的最终谈判,服务器、PC及移动端通用DRAM均价较上季度上涨约95%,接近翻倍,部分客户及产品的涨幅甚至超过100%。这一涨幅较今年1月协商的70%水平,在短短一个月内再度扩大约25个百分点。业内知情人士透露,谈判已全面收尾,部分海外客户已完成付款。与此同时,SK海力士与美光科技同样以相近幅度完成一季度供货合同谈判,全球三大DRAM原厂协同提价格局已基本成型。TrendForce集邦咨询上调了2026年第一季度传统DRAM合约价格预测,将环比涨幅从此前的55%-60%上调至90%-95%,PC DRAM合约价格预计将环比翻番以上,创下新的季度纪录。NAND闪存合约价格预计也将环比上涨55%-60%。此外,据媒体报道,阿里巴巴、字节跳动和腾讯正转向国内芯片制造商,以缓解日益严重的全球存储芯片短缺带来的压力。高盛将韩国Kospi指数的目标点位从6500点上调至7000点,理由是存储芯片价格持续走强,并将2026年韩国企业盈利增速预期从120%上调至130%。

本轮存储芯片涨价的核心驱动力在于人工智能基础设施建设对存储需求的结构性拉动。随着数据中心运营商大规模部署AI芯片,支撑算力运行的高带宽内存(HBM)需求急剧攀升,三星电子、SK海力士及美光科技纷纷将产能向HBM倾斜,导致面向服务器、PC及移动终端的通用DRAM供给受到明显挤压。北美云服务提供商自2025年底以来一直在提前下单锁定配额,将其他买家的优先级降低。行业供货谈判周期已从传统年度周期大幅压缩至季度,部分品类甚至需按月动态调整,深刻反映出当前存储芯片市场供需矛盾的严峻性。高盛预计2026年DRAM供不应求幅度将达到4.9%,为过去15年最严重短缺。在此背景下,国内科技巨头加速国产替代进程,存储芯片涨价已开始向业绩端传导,多家A股公司营收和利润出现大幅增长,涨价逻辑正在得到实际数据验证。

高盛日前发布研报称:“韩国存储芯片行业基本面依然强劲,但投资者的担忧清单正在不断拉长。在所有讨论话题中,存储行业仍然是投资者关注的核心。多数投资者认为,当前行业基本面依然稳固,尤其是存储价格持续上涨以及盈利能力提升,使得市场情绪保持偏多。”

高盛表示:“存储价格很可能至少在今年全年继续上涨,并可能延续到2027年。同时,由于行业供给持续紧张,短期内市场对价格的预期仍可能进一步上修。”高盛在2026年2月发布的报告中指出,全球存储芯片市场正面临过去15年来最严重的供应短缺,2026年DRAM、NAND、HBM三大品类的供需缺口分别达4.9%、4.2%、5.1%,这种短缺局面预计将持续至2027年甚至更久。

东莞证券研报认为:“AI数据中心对高密度存储需求快速提升,存储芯片行业的上行周期或将延续至2027年,核心逻辑在于AI需求具备较强刚性与持续性;存储芯片价格持续上涨,推动相关企业盈利增长;半导体设备与材料企业则受益于先进制程扩产及供应链本土化建设;叠加政策支持,行业整体景气度将持续提升。”

东海证券表示:“半导体行业涨价蔓延未止,关注AI驱动下细分赛道结构性机会。行业需求在缓慢复苏,AI投资持续超预期,存储芯片涨价幅度超预期;海外压力下自主可控力度依然在不断加大。”

国金证券认为:“半导体设备是半导体产业链的基石,存储扩产与自主可控共振,国产化空间广阔。存储芯片架构从2D向3D深层次变革,随着3D DRAM技术引入以及NAND堆叠层数向5xx层及以上演进,制造工艺中对高深宽比刻蚀及先进薄膜沉积的要求呈指数级提升,相关设备厂商将深度受益于工艺复杂度提升带来的红利。”

相关行业:

存储芯片设计与模组:本轮DRAM合约价格接近翻倍、NAND闪存价格大幅上涨,直接推动存储芯片设计企业和模组厂商的产品售价与毛利率同步提升。国内存储芯片设计厂商在NOR Flash、DRAM、NAND Flash等领域持续拓展产品线,模组厂商则通过自研主控芯片和先进封测能力提升产品附加值。在AI算力与国产替代双重驱动下,国内存储企业正加速进入阿里云、字节跳动、腾讯等头部科技企业的供应链体系,行业景气度显著提升。

半导体设备与材料:存储芯片厂商的大规模扩产对上游设备和材料形成强劲拉动。长鑫存储、长江存储等国内存储双雄正加速扩产,长江存储正在武汉建设超大规模洁净室,面积达7万平方米以上。随着3D DRAM技术引入以及NAND堆叠层数持续向更高层数演进,对刻蚀设备、薄膜沉积设备、测试设备、前驱体材料、电子特气等的需求呈指数级增长,国产设备和材料企业在自主可控背景下正加速替代进口产品。

半导体封测:HBM等先进存储产品对封装测试环节提出了更高要求,倒角、背面减薄、TSV通孔等先进封装工艺成为产能瓶颈。中芯国际联合首席执行官赵海军此前指出,AI对高端存储的需求关键约束在后端工艺,封装测试等环节导入和扩产节奏明显慢于晶圆制造。国内封测企业在存储芯片封装领域持续扩大产能,承接国内外客户的存储封测订单,行业订单饱满度处于高位。

消费电子终端:存储芯片价格的持续大幅上涨正在向下游消费电子终端传导。小米集团创始人雷军公开表示,AI需求暴涨引发存储芯片价格暴涨,手机业务面临很大压力。多位业内人士表示今年3月是手机涨价的关键节点,3月之后发布的新品涨价幅度将明显扩大。存储涨价对手机、PC、汽车等终端产品的物料成本影响显著,终端厂商面临成本上升与产品定价调整的双重压力。

产业链公司:

佰维存储:国内存储芯片模组龙头企业,公告称2025年实现营收112.96亿元,同比增长68.72%,归母净利润8.67亿元,同比增长437.56%。预计2026年1-2月实现营收40亿至45亿元,同比增长340%至395%,归母净利润15亿至18亿元,同比增长921.77%至1086.13%。公司表示2026年存储行业迎来高度景气周期,AI算力与国产替代驱动DRAM/NAND价格持续上涨,公司持续加大芯片设计、解决方案、先进封测及测试设备等领域的投入力度。

江波龙:国产NAND模组龙头企业,拥有FORESEE、Lexar及Zilia三大品牌,具备"设计+算法+封测"全栈能力。公司2018-2024年营收年均复合增长率高达26.7%,2025年预计营收225-230亿元。公司已完成UFS4.1主控芯片首次流片并实现定制化端侧AI存储产品在头部客户的批量出货,针对AI领域开发的SOCAMM产品采用LPDDR5X技术,相同容量下带宽比传统DDR5 RDIMM高出2.5倍以上。公司拟定增募资37亿元发力AI高端存储、自研主控及先进封测。

兆易创新:中国领先的半导体设计公司,主营业务涵盖存储器、微控制器和传感器,是国内NOR Flash龙头企业,同时积极拓展DRAM和NAND Flash市场。公司产品广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等领域,在存储芯片涨价周期中产品售价和盈利能力同步提升。

澜起科技:全球内存接口芯片三大供应商之一,是DDR5 RCD、MDB及CKD芯片国际标准牵头制定者。弗若斯特沙利文报告显示,按2024年销售额计,公司为全球最大的内存互连芯片供应商、第二大PCIe Retimer供应商。2025年实现营收54.56亿元,同比增长49.94%,归母净利润22.36亿元,同比增长58.35%。

雅克科技:公司已形成覆盖半导体前驱体、光刻胶、电子特气、硅微粉及LNG复合材料等多个领域的产业布局。核心产品前驱体纯度达到99.99999%(7N级),全球HBM前驱体市占率18%,是SK海力士的独家供应商,并已打入中芯国际、长江存储等国内所有主流晶圆厂供应链。在存储芯片扩产确定性增强的背景下,公司有望进一步推进新产能扩张。

精智达:国内半导体测试设备企业,2026年以来获277家机构调研。公司在接受机构调研时透露,“随着国内存储产业快速发展、市场需求持续旺盛,2025年至今公司已累计披露金额超20亿元的相关合同,充分反映下游客户对公司测试设备需求迫切。”当前半导体订单景气度高企,公司核心产能已达满产状态,正依托现有产能全力保障战略客户的产品交付。

德明利:国内存储模组企业,2025年实现营收107.89亿元,同比增长126.07%,首次突破百亿元,扣非归母净利润6.88亿元,同比大增120.77%。公司在存储芯片涨价周期中实现了营收和利润的大幅增长。

投资有风险,入市需谨慎。以上内容由AI生成,不构成投资建议。

来源:市场资讯

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