国显创新申请芯片封装结构及其制作方法专利，提升芯片封装结构的散热效率_电池资讯

国显创新申请芯片封装结构及其制作方法专利，提升芯片封装结构的散热效率

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2026-03-07 15:48:13

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国家知识产权局信息显示，苏州国显创新科技有限公司申请一项名为“芯片封装结构及其制作方法和电子设备”的专利，公开号CN121620274A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本申请提供了一种芯片封装结构及其制作方法和电子设备，芯片封装结构包括：基板；基板的一侧设置有凹槽；第一芯片，设置于凹槽中；至少一个第二芯片；第二芯片通过导电结构与第一芯片电连接；第一芯片与第二芯片之间形成第一散热通道；封装层，设置于第二芯片远离基板的一侧；封装层包裹第二芯片的侧部以及部分基板；封装层设置有通孔；通孔与第一散热通道连通形成散热通道。通过在第一芯片和第二芯片之间设置第一散热通道以及在封装层设置至少两个通孔，并将该第一散热通道和通孔连通形成散热通道，可以在该散热通道中使用冷却介质直接对第一芯片和第二芯片进行散热，提升芯片封装结构的散热效率。

天眼查资料显示，苏州国显创新科技有限公司，成立于2025年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200000万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州国显创新科技有限公司参与招投标项目18次，专利信息1374条，此外企业还拥有行政许可1个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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