普冉半导体申请存储器擦写管理方法、装置、电子设备及存储介质专利，实现所有的存储页一起均衡耗损_电池资讯

普冉半导体申请存储器擦写管理方法、装置、电子设备及存储介质专利，实现所有的存储页一起均衡耗损

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2026-03-11 10:04:53

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国家知识产权局信息显示，普冉半导体（上海）股份有限公司申请一项名为“存储器擦写管理方法、装置、电子设备及存储介质”的专利，公开号CN121636369A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本申请提供了一种存储器擦写管理方法、装置、电子设备及存储介质。根据每个存储页的管理区中的擦写管理信息确定用于存储待处理数据的目标存储页；根据擦写管理信息中的页地址映射信息确定目标存储页的第一物理地址对应的第一逻辑地址、以及待处理数据的第二逻辑地址对应的第二物理地址；将第一逻辑地址的映射切换为第二物理地址，将第二逻辑地址的映射切换为第一物理地址，并更新读取的擦写管理信息；基于第二逻辑地址和第一物理地址的映射关系将待处理数据写入目标存储页的内容区。本申请为待处理数据选取合适的目标存储页进行存储，从而实现所有的存储页一起均衡耗损，达到一起衰老的目的。

天眼查资料显示，普冉半导体（上海）股份有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本14804.9102万人民币。通过天眼查大数据分析，普冉半导体（上海）股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息11条，专利信息203条，此外企业还拥有行政许可7个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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