上海集成电路研发中心申请多次可编程存储器专利，提高存储器的有效寿命_电池资讯

上海集成电路研发中心申请多次可编程存储器专利，提高存储器的有效寿命

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2026-03-12 23:47:04

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国家知识产权局信息显示，上海集成电路研发中心有限公司申请一项名为“多次可编程存储器及其制造方法、写入方法和擦除方法”的专利，公开号CN121645866A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，本发明提供一种多次可编程存储器及其制造方法、写入方法和擦除方法，多次可编程存储器包括擦除栅氧化层和擦除栅，擦除栅氧化层覆盖第二浮栅远离第一浮栅的侧壁并延伸覆盖部分NMOS器件区的浮栅氧化层，擦除栅位于擦除栅氧化层上，且擦除栅与第二浮栅之间通过擦除栅氧化层相互隔离。如此，在写入时可以从浮栅氧化层进行，而擦除时可以利用擦除栅从擦除栅氧化层进行擦除，避免了对同一浮栅氧化层反复进行写入和擦除，降低浮栅氧化层的使用频率，减缓浮栅氧化层的受损伤的速率，提高存储器的有效寿命，并且由于擦除采用擦除栅氧化层进行，故擦除栅氧化层的厚度可以根据后续在擦除栅上施加的电压进行设计，以提高擦除栅氧化层的耐压性，提高擦除效率。

天眼查资料显示，上海集成电路研发中心有限公司，成立于2002年，位于上海市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本30060万人民币。通过天眼查大数据分析，上海集成电路研发中心有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目294次，财产线索方面有商标信息103条，专利信息2171条，此外企业还拥有行政许可88个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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