谱析光晶申请氮化镓器件堆叠结构专利，实现导通电阻显著降低
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2026-03-17 16:45:46
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国家知识产权局信息显示，杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请一项名为“一种氮化镓器件堆叠结构及其制造方法”的专利，公开号CN121665613A，申请日期为2026年2月。
专利摘要显示，本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种氮化镓器件堆叠结构及其制造方法，包括位于底部的基层氮化镓结构和位于顶部的顶层氮化镓结构；所述基层氮化镓结构的内部从下向上依次包括：基层衬底、基层缓冲层、基层GaN层、基层AlGaN层；所述基层氮化镓结构还包括：基层源极、基层漏极、基层栅极、基层介质层、基层下P‑GaN层以及基层上P‑GaN层。本发明通过垂直堆叠设计在单一器件内集成多个AlGaN/GaN异质结沟道，实现了导通电阻的显著降低。在保持相同耐压和芯片面积的条件下，该结构通过多个二维电子气沟道并联导电，使整体导通电阻降至传统平面结构的约三分之一，有效克服了传统GaN HEMT器件中导通电阻随耐压升高而增大的固有矛盾。
天眼查资料显示，杭州谱析光晶半导体科技有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本909.1341万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州谱析光晶半导体科技有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目22次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息188条，此外企业还拥有行政许可2个。
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来源：市场资讯
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