谱析光晶申请氮化镓器件堆叠结构专利,实现导通电阻显著降低
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2026-03-17 16:45:46
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国家知识产权局信息显示,杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请一项名为“一种氮化镓器件堆叠结构及其制造方法”的专利,公开号CN121665613A,申请日期为2026年2月。

专利摘要显示,本发明涉及MOS半导体技术领域,且公开了一种氮化镓器件堆叠结构及其制造方法,包括位于底部的基层氮化镓结构和位于顶部的顶层氮化镓结构;所述基层氮化镓结构的内部从下向上依次包括:基层衬底、基层缓冲层、基层GaN层、基层AlGaN层;所述基层氮化镓结构还包括:基层源极、基层漏极、基层栅极、基层介质层、基层下P‑GaN层以及基层上P‑GaN层。本发明通过垂直堆叠设计在单一器件内集成多个AlGaN/GaN异质结沟道,实现了导通电阻的显著降低。在保持相同耐压和芯片面积的条件下,该结构通过多个二维电子气沟道并联导电,使整体导通电阻降至传统平面结构的约三分之一,有效克服了传统GaN HEMT器件中导通电阻随耐压升高而增大的固有矛盾。

天眼查资料显示,杭州谱析光晶半导体科技有限公司,成立于2020年,位于杭州市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本909.1341万人民币。通过天眼查大数据分析,杭州谱析光晶半导体科技有限公司共对外投资了9家企业,参与招投标项目22次,财产线索方面有商标信息1条,专利信息188条,此外企业还拥有行政许可2个。

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来源:市场资讯

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