英飞凌申请半导体晶体管器件及其制造方法专利，场电极沟槽旁的比电阻沿长度方向增加
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2026-03-21 12:35:30
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国家知识产权局信息显示，英飞凌科技奥地利有限公司申请一项名为“半导体晶体管器件及其制造方法”的专利，公开号CN121692700A，申请日期为2025年8月。
专利摘要显示，本公开涉及半导体晶体管器件及其制造方法。本发明涉及一种半导体晶体管器件（10），其包括：半导体主体（30）中的场电极沟槽（20）；场电极沟槽（20）中的场电极（40）；与场电极（40）电接触的场电极触点（50）；场电极沟槽（20）和场电极（40）在长度方向（101）上具有细长的横向延伸，其中场电极沟槽（20）旁边的半导体主体（30）中的比电阻R沿着长度方向（101）从场电极触点（50）旁边的第一位置x1向远离第一位置x1的第二位置x2增加。
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