铠侠申请半导体装置及其制造方法专利，能够确保导线间的间隙
创始人
2026-03-23 20:23:06
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国家知识产权局信息显示，铠侠股份有限公司申请一项名为“半导体装置及其制造方法”的专利，公开号CN121712035A，申请日期为2025年2月。

专利摘要显示，本发明提供一种能够确保导线间的间隙的半导体装置及其制造方法。根据一实施方式，半导体装置具备配线衬底、第1半导体元件、第2半导体元件、第1导线、及第2导线。配线衬底设置着具备第1部分及第2部分的电极，所述第2部分与第1部分之间具有阶差，且距基底层的高度比第1部分高。第1半导体元件配置在配线衬底上。第2半导体元件配置在第1半导体元件上。第1导线的一端连接于第1部分上的第1连接点，另一端连接于第1半导体元件。第2导线的一端连接于第2部分上的第2连接点，另一端连接于第2半导体元件。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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