南亚科技申请具有偶极部的半导体元件及其制备方法专利，提升半导体元件性能
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2026-03-23 20:19:11
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国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“具有偶极部的半导体元件及其制备方法”的专利，公开号CN121712058A，申请日期为2025年3月。

专利摘要显示，本公开提供一种具有偶极部的半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一栅极结构，设置在一半导体基底上方；以及一介电层，围绕该栅极结构。该半导体元件亦包括一源极区和一漏极区，设置在该半导体基底中并位在该栅极结构的相对侧上。该半导体元件还包括一第一偶极部，设置在该半导体基底上方并覆盖该源极区；以及一第一介电间隙子，设置在该第一偶极部上方并邻近该介电层。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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