意法半导体申请制造包括掺杂硅的电接触元件的电子设备的方法专利，在通路与第二区之间的界面处形成的p‑n结的空间电荷区域中产生晶格缺陷
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2026-03-30 17:58:35
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国家知识产权局信息显示，意法半导体国际公司申请一项名为“制造包括掺杂硅的电接触元件的电子设备的方法”的专利，公开号CN121751781A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本公开涉及制造包括掺杂硅的电接触元件的电子设备的方法。一种制造电子设备的方法包括以下步骤：a)在半导体衬底中，形成第一类型的第一掺杂区和第二类型的第二掺杂区；b)在衬底的上表面上沉积电介质层；c)在步骤b)之后，在电介质层中形成第一开口和第二开口，以暴露第一区和第二区；d)在第二区中注入非掺杂离子，以使第二区的上部部分非晶化；e)在步骤c)和d)之后，用第一类型的掺杂的单晶硅或多晶硅填充第一开口和第二开口；以及f)执行设备的热退火，以使第二区的所述上部部分重结晶，并且在通路与第二区之间的界面处形成的p‑n结的空间电荷区域中产生晶格缺陷。
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