重庆邮电大学申请芯片级三维散热封装结构及制作方法专利，切实降低芯片工作温度
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2026-04-01 05:51:39
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国家知识产权局信息显示，重庆邮电大学;重庆万泰电力科技有限公司申请一项名为“芯片级三维散热封装结构及制作方法”的专利，公开号CN121772750A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明涉及一种芯片级三维散热封装结构及其制作方法，属于微电子封装技术领域。该封装结构融合了梯度微通道、铜基蒸气腔、纳米强化热界面层与智能热管理系统，通过在芯片级别进行三维集成，实现了高效传热与均匀散热。纳米强化热界面层材料有效降低了界面热阻，整体散热效率显著提升；智能热管理系统能够依据封装结构内部温度实时调控散热模式，切实降低芯片工作温度，增强器件稳定性与使用寿命。本发明适用于各类高功率密度电子器件的热管理，具备广泛的应用前景。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
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