鹏芯微申请半导体结构及其制造方法专利，去除第三伪栅结构的伪栅
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2026-04-01 23:55:35
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国家知识产权局信息显示，深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN121772316A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本公开提出了一种半导体结构及其制造方法，涉及半导体技术领域，制造方法包括：提供衬底结构，衬底结构包括：衬底；衬底上的鳍片；横跨鳍片的第一伪栅结构、第二伪栅结构、以及第一伪栅结构和第二伪栅结构之间的第三伪栅结构，第三伪栅结构包括伪栅和位于伪栅两侧的第一间隔物层；以及鳍片上的电极区和覆盖电极区的绝缘部，位于第一伪栅结构和第二伪栅结构中的每一个和第三伪栅结构之间；去除伪栅至少一侧的第一间隔物层的顶部的一部分，以形成第一开口；在第一开口中填充第二间隔物层，以形成中间结构；在中间结构上方形成掩模层；在掩模层中形成至少露出第三伪栅结构的伪栅的表面的一部分的第二开口；去除第三伪栅结构的伪栅。
天眼查资料显示，深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司，成立于2021年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本712800万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司参与招投标项目19次，财产线索方面有商标信息70条，专利信息118条，此外企业还拥有行政许可215个。
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来源：市场资讯
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