速腾聚创申请单光子雪崩二极管单元和制备方法专利，改善SPAD的时间抖动和延迟脉冲的问题
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2026-04-03 19:46:36
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国家知识产权局信息显示，深圳市速腾聚创科技有限公司申请一项名为“单光子雪崩二极管单元和制备方法”的专利，公开号CN121793460A，申请日期为2025年5月。
专利摘要显示，本申请提供单光子雪崩二极管单元和制备方法，单光子雪崩二极管单元包括光电效应区，所述光电效应区为产生光电效应的区域；其中：所述光电效应区包括耗尽区和氧化物填充区；所述耗尽区用于吸收光子并生成载流子，所述耗尽区中的载流子用于触发雪崩击穿；所述氧化物填充区由氧化物填充而成，所述氧化物填充区为所述光电效应区中超出所述耗尽区的区域；所述耗尽区与所述氧化物填充区的区域交界处设置有掺杂薄层，所述掺杂薄层的极性与目标阱区域的极性相同，所述目标阱区域为所述单光子雪崩二极管单元的主结中的在深度方向上远离电极的阱区域。该技术方案可以改善SPAD的时间抖动和延迟脉冲的问题。
天眼查资料显示，深圳市速腾聚创科技有限公司，成立于2014年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本62034.4万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市速腾聚创科技有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目230次，财产线索方面有商标信息67条，专利信息1248条，此外企业还拥有行政许可30个。
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来源：市场资讯
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