格芯申请包括自保护晶体管的电路专利，防止由静电放电事件造成的损坏
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2026-04-04 19:23:55
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国家知识产权局信息显示，格芯新加坡私人有限公司申请一项名为“包括自保护晶体管的电路”的专利，公开号CN121791073A，申请日期为2025年8月。
专利摘要显示，本公开涉及包括自保护晶体管的电路。公开了一种电路，其包括具有集成电路的晶体管，用于防止由静电放电（ESD）事件或其他漏极电压（Vd）过应力状况造成的损坏。该晶体管是N型场效应晶体管（NFET），并且包括漏极区、连接到地的源极区和连接到第一节点的栅极。第一节点被连接以接收外部生成的栅极偏置电压。电阻器‑电容器（RC）触发式电压钳与晶体管并联连接。具体地说，电阻器连接在源极区和第二节点之间，并且电容器连接在第二节点和漏极区之间。第一二极管或串联连接的第一二极管连接在第二节点和第一节点之间。可选地，电阻器‑二极管（RD）触发式电压钳也与晶体管并联连接，并与RC触发式电压钳共享电阻器和第二节点。
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