重庆芯联微电子申请半导体器件形成方法专利，调整MOS器件的阈值电压
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2026-05-06 15:43:17
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国家知识产权局信息显示，重庆芯联微电子有限公司申请一项名为“半导体器件的形成方法”的专利，公开号CN121985748A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体器件的形成方法，先获取半导体衬底与栅介质层之间的界面态禁带宽度；然后，根据界面态禁带宽度预设入射光的波长；根据预设的入射光的波长对MOS器件进行紫外光照射处理，使入射光穿透金属栅极和栅介质层，以调整MOS器件的阈值电压。通过对MOS器件进行紫外光照射处理，可以激发半导体衬底与栅介质层之间的界面态缺陷，以及激发栅介质层内的缺陷态陷阱，由此引发光电效应，产生电子空穴对，而空穴较容易被界面态和缺陷态陷阱捕获，从而可以形成正电荷,并改变局部电场分布，进而调整MOS器件的阈值电压。
天眼查资料显示，重庆芯联微电子有限公司，成立于2023年，位于重庆市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本870000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆芯联微电子有限公司参与招投标项目935次，专利信息329条，此外企业还拥有行政许可12个。
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