芯恩申请半导体结构及其制作方法专利，减少了工艺步骤
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2026-05-12 18:40:52
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国家知识产权局信息显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司申请一项名为“半导体结构及其制作方法”的专利，公开号CN122018078A，申请日期为2026年2月。
专利摘要显示，本申请提供一种半导体结构及其制作方法，所述方法包括：提供衬底，在衬底上依次形成牺牲层与掩膜层；对掩膜层进行刻蚀，形成两种开口图形，第一开口图形的截面尺寸大于第二开口图形的截面尺寸；以掩膜层为掩膜进行离子注入，在第一开口图形的底部形成牺牲处理层；以掩膜层为掩膜进行第一次刻蚀，去除牺牲处理层；以掩膜层为掩膜进行第二次刻蚀，形成第一沟槽与第二沟槽，第一沟槽的截面尺寸大于第二沟槽的截面尺寸，且第一沟槽的深度大于第二沟槽的深度。本申请在同一光刻工艺中形成截面尺寸与深度均不相同的两个沟槽，减少了工艺步骤，节省了掩膜版的使用数量，降低了成本。
天眼查资料显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司，成立于2018年，位于青岛市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1006720.789212万人民币。通过天眼查大数据分析，芯恩（青岛）集成电路有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目182次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息1031条，此外企业还拥有行政许可56个。
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来源：市场资讯
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