晋华集成电路申请半导体存储器结构及制备方法专利，提高半导体存储器的良率
国家知识产权局信息显示，福建省晋华集成电路有限公司申请一项名为“半导体存储器结构及制备方法”的专利，公开号CN122028720A，申请日期为2022年4月。
专利摘要显示，本申请公开一种半导体存储器结构及制备方法，能够消除沟槽填充多种材料层的过程中出现的凹槽，提高半导体存储器的良率。半导体存储器结构包括：衬底；位于衬底上表面的至少一个第一沟槽；第一介电层，沿第一沟槽的内壁分布；第二介电层，位于第一介电层的表面，并填充第一沟槽；第一介电层的顶部低于第二介电层的顶部和衬底的上表面，使第二介电层和衬底之间形成有第一凹槽；第四介电层，覆盖于第一凹槽内壁，且填充第一凹槽的部分空间，第四介电层还覆盖于第二介电层上；负载堆叠结构，位于第四介电层上且位于第二介电层的顶部上方。
天眼查资料显示，福建省晋华集成电路有限公司，成立于2016年，位于泉州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3447733.068816万人民币。通过天眼查大数据分析，福建省晋华集成电路有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目558次，财产线索方面有商标信息12条，专利信息1011条，此外企业还拥有行政许可84个。
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来源：市场资讯
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