杭州富芯半导体申请半导体结构及半导体结构的形成方法专利，能够实现隔离并导出暗电流及其他干扰信号
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2026-05-20 02:42:30
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国家知识产权局信息显示，杭州富芯半导体有限公司申请一项名为“半导体结构及半导体结构的形成方法”的专利，公开号CN122070002A，申请日期为2026年4月。
专利摘要显示，本申请公开了半导体结构及半导体结构的形成方法，所述半导体结构包括：衬底，衬底上形成有多个光电转换器件和功率器件，光电转换器件上覆盖有第一介质层；在光电转换器件之间和/或在所述光电转换器件与所述功率器件之间有深沟槽隔离结构；深沟槽隔离结构贯通所述第一介质层，并延伸至所述衬底中；所述深沟槽隔离结构的深沟槽内部填充有金属材质，在金属材质与深沟槽内壁之间设置有隔离层；隔离层底部形成有开口，金属材质填充于所述开口中并与深沟槽底部内壁相接触，金属材质上部与其他电路电连接。采用所述半导体结构及半导体结构的形成方法，能够实现隔离并导出暗电流及其他干扰信号。
天眼查资料显示，杭州富芯半导体有限公司，成立于2019年，位于杭州市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本945000万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州富芯半导体有限公司参与招投标项目36次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息366条，此外企业还拥有行政许可27个。
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来源：市场资讯
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