国家知识产权局信息显示,中核光电科技(上海)有限公司申请一项名为“钙钛矿电池空穴传输层的制备方法及应用”的专利,公开号CN122081875A,申请日期为2026年1月。
专利摘要显示,本发明是关于一种钙钛矿电池空穴传输层的制备方法及应用。所述方法全程无需退火处理,具体包括:S1.使用金属镍靶材,通过磁控反应溅射,控制压力为0.2~0.4Pa,通入氩气的流量为200~600sccm,所述氩气和氧气的流量之比为20~30%,在基底表面制备第一氧化镍层;S2.使用氧化镍陶瓷靶,通过磁控物理溅射,控制压力为0.3~0.5Pa,通入氩气的流量为200~600sccm,所述氧气和氩气的流量之比为1.5~5%,得到第二氧化镍层。所要解决的技术问题是如何提供一种空穴传输层的制备方法,使用磁控溅射设备,将金属镍反应溅射与氧化镍陶瓷靶物理溅射相结合,全程无需退火处理,能够大幅度降低制备成本,并且还能形成更有利于空穴传输层的膜结构。
天眼查资料显示,中核光电科技(上海)有限公司,成立于2023年,位于上海市,是一家以从事电气机械和器材制造业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析,中核光电科技(上海)有限公司参与招投标项目232次,财产线索方面有商标信息5条,专利信息47条,此外企业还拥有行政许可9个。
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来源:市场资讯