中核光电申请钙钛矿电池空穴传输层制备方法专利，能够大幅度降低制备成本
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2026-05-28 16:18:55
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国家知识产权局信息显示，中核光电科技（上海）有限公司申请一项名为“钙钛矿电池空穴传输层的制备方法及应用”的专利，公开号CN122081875A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本发明是关于一种钙钛矿电池空穴传输层的制备方法及应用。所述方法全程无需退火处理，具体包括：S1.使用金属镍靶材，通过磁控反应溅射，控制压力为0.2～0.4Pa，通入氩气的流量为200～600sccm，所述氩气和氧气的流量之比为20～30%，在基底表面制备第一氧化镍层；S2.使用氧化镍陶瓷靶，通过磁控物理溅射，控制压力为0.3～0.5Pa，通入氩气的流量为200～600sccm，所述氧气和氩气的流量之比为1.5～5%，得到第二氧化镍层。所要解决的技术问题是如何提供一种空穴传输层的制备方法，使用磁控溅射设备，将金属镍反应溅射与氧化镍陶瓷靶物理溅射相结合，全程无需退火处理，能够大幅度降低制备成本，并且还能形成更有利于空穴传输层的膜结构。
天眼查资料显示，中核光电科技（上海）有限公司，成立于2023年，位于上海市，是一家以从事电气机械和器材制造业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，中核光电科技（上海）有限公司参与招投标项目232次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息47条，此外企业还拥有行政许可9个。
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