重庆芯联微电子申请半导体结构及其制备方法专利，实现金属电阻尺寸的精确调节
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2025-06-20 09:07:42
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金融界2025年6月20日消息，国家知识产权局信息显示，重庆芯联微电子有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN120187082A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构及其制备方法，通过在半导体基底上形成第一金属层，并结合光刻刻蚀工艺定义第一金属层的电阻区域，接着形成与第一金属层相邻的第二预设区域的第二金属层，然后基于预设接触孔掩膜，形成与第二金属层接触的电性引出结构，通过利用第二金属层的电阻小于第一金属层，将该金属电阻的尺寸从现有技术中的由接触孔的边界定义调整为由第一金属层的边界定义，从而在不改变接触孔布局的前提下，实现了金属电阻尺寸的精确调节，减少了电阻长度偏差，提高了电路性能的一致性和可靠性，且制备方法的工艺流程与现有设计兼容，降低了制造成本和风险，增强了设计灵活性。
天眼查资料显示，重庆芯联微电子有限公司，成立于2023年，位于重庆市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本870000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆芯联微电子有限公司参与招投标项目711次，专利信息115条，此外企业还拥有行政许可12个。
来源：金融界
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