华邦电子申请电容器结构及其制造方法专利，突破电容量提升的瓶颈
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2026-06-27 14:26:07
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国家知识产权局信息显示，华邦电子股份有限公司申请一项名为“电容器结构及其制造方法”的专利，公开号CN122294507A，申请日期为2025年1月。
专利摘要显示，本发明提供一种电容器结构及其制造方法。上述电容器结构包括衬底、第一支撑层与电容器。第一支撑层位于衬底上。电容器位于衬底上。电容器包括底电极、顶电极与介电层。底电极包括第一部分与第二部分。第一部分位于贯穿第一支撑层的多个电容孔上。第二部分电性连接于第一部分，且覆盖第一支撑层的底表面。顶电极位于底电极上。介电层位于底电极与顶电极之间。上述电容器结构可改善底电极的缺陷，以及突破电容量提升的瓶颈。
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来源：市场资讯
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