华润上华申请电容结构及其制备方法专利，能够提升耐压
创始人
2026-07-04 08:16:51
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国家知识产权局信息显示，无锡华润上华科技有限公司申请一项名为“电容结构及其制备方法、集成半导体装置”的专利，公开号CN122340825A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本申请涉及一种电容结构及其制备方法、集成半导体装置。电容结构包括：衬底；第一电极，设于衬底的一侧；第一介质层，设于第一电极远离衬底的一侧；第一介质层在衬底上的正投影覆盖第一电极在衬底上的正投影；第一介质层包括第一子部及围绕第一子部设置的第二子部；第二电极，设于第一子部远离衬底的一侧；第二电极在衬底上的正投影与第一子部在衬底上的正投影重合；其中，由第二子部远离第一子部的一侧边缘至第一子部的方向，第二子部的厚度逐渐增大；第一子部的厚度等于第二子部的最大厚度。本申请只需要对第一介质层的形貌进行调整，就能够提升耐压，有利于降低成本。
天眼查资料显示，无锡华润上华科技有限公司，成立于2002年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本66801.147万美元。通过天眼查大数据分析，无锡华润上华科技有限公司参与招投标项目6547次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息1540条，此外企业还拥有行政许可124个。
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来源：市场资讯
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