喆富创新取得光电单元专利，实现不同掺杂类型半导体层结构
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2026-07-05 01:59:50
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国家知识产权局信息显示，喆富创新科技股份有限公司取得一项名为“光电单元”的专利，授权公告号CN224460446U，申请日期为2025年4月。
专利摘要显示，一种光电单元，包括：基板；及第一半导体组件，设置在基板上，并包括：第一掺杂半导体层，设置在基板上，且材料为非晶硅半导体材料；及第二掺杂半导体层，设置在第一掺杂半导体层之上，且材料为非晶硅半导体材料。第一掺杂半导体层与第二掺杂半导体层为不同掺杂类型的半导体。
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来源：市场资讯
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