中欣晶圆申请重掺磷或砷单晶径向电阻率呈特定分布且沿轴向一致的拉晶方法专利，使重掺磷或砷单晶的径向电阻率呈中心低、边缘高的分布趋势且沿轴向一致
创始人
2026-07-11 23:01:37
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国家知识产权局信息显示，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司申请一项名为“重掺磷或砷单晶径向电阻率呈特定分布且沿轴向一致的拉晶方法”的专利，公开号CN122358309A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，一种重掺磷或砷单晶径向电阻率呈特定分布且沿轴向一致的拉晶方法，包括：在重掺磷或砷拉制晶棒时，当晶棒进入等径阶段时，通过在预定等径区间内调整晶棒的拉速进行拉制，以使重掺磷或砷单晶的径向电阻率呈中心低、边缘高的分布趋势且沿轴向一致。
天眼查资料显示，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司，成立于2015年，位于银川市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本150000万人民币。通过天眼查大数据分析，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司参与招投标项目17次，专利信息400条，此外企业还拥有行政许可25个。
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来源：市场资讯
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