每经编辑：彭水萍

上周（7月27日～7月31日），上证科创芯片设计指数全周下跌8.34%，周一宽幅震荡收红，周二至周四持续调整，周五强势反弹4.93%。科创芯片设计ETF天弘（589070）基金经理洪明华认为，上周走势呈现典型的"事件驱动冲击+周五情绪修复"特征，核心催化因素如下：

一、长鑫科技正式上市：短期扰动与长期利好并存

7月27日，国内DRAM存储芯片龙头长鑫科技（688825.SH）正式登陆科创板，上市首日暴涨465.82%，收盘总市值达3.28万亿元，一举登顶A股市值榜首；单日成交金额高达1412亿元，刷新A股个股单日成交历史纪录。上市后数日，长鑫科技延续强势：7月29日大涨12.66%，7月31日盘中股价一度冲高至60元/股，总市值盘中突破4万亿元。全周累计涨幅超5倍。

长鑫科技上市对指数形成“短期扰动、长期利好”的双重效应。短期看，首日1412亿元的巨量成交占科创综指当日成交额的32%，对科技板块形成明显的资金分流压力。长期看，该股预计于2026年12月14日正式纳入科创芯片设计指数，预估权重约8%～10%，不仅将填补指数在高端存储芯片赛道的空白，完善半导体全细分领域布局，还将触发大量被动型基金调仓配置，为指数引入持续增量资金。

二、韩国去杠杆引发全球科技链负反馈

本轮调整的最直接导火索来自外部——韩国市场去杠杆引发全球科技链条负反馈。韩国股市因高杠杆资金被迫平仓而连续暴跌，多次触发熔断。自7月初至7月30日，KOSPI指数累计跌幅已超34%，远超费城半导体指数同期26.7%的跌幅；权重股SK海力士暴跌50.11%。由于韩国在半导体、存储等科技产业链占据关键地位，其急速去杠杆导致海外资金紧急撤离，并沿全球科技供应链快速传导，形成“踩踏式”抛售。

三、科技赛道内部脆弱性：交易拥挤+杠杆负反馈

交易拥挤：Q2基金重仓股过于集中。二季度主动偏股基金对创业板和科创板的合计配置比例超过56%，首次超过主板；其中电子行业持仓占比升至约43%，通信行业约17%，两者合计近60%，均创2015年以来新高。持仓过度集中叠加6月科技赛道大幅上涨，大量获利盘集中涌出引发剧烈踩踏。

杠杆负反馈：融资盘连环平仓。 股价下跌触发融资盘平仓，进一步压低股价，形成恶性循环。截至7月29日，全市场融资余额已从6月底的29971亿元下降至26213亿元，减少金额超过3758亿元。融资盘被动平仓与股价下跌相互强化，加速了指数下行。

综合来看，短期维度，板块仍需消化长鑫科技上市带来的资金结构再平衡，以及前期累计大幅上涨后的估值消化，行情或延续震荡蓄势格局。但中长期核心逻辑未变：AI算力需求持续扩张、国产替代政策持续推进、产业链涨价潮持续蔓延，科创芯片设计指数作为A股唯一聚焦科创板+芯片设计赛道的主题指数，高纯度覆盖AI芯片与存储芯片，精准卡位高成长赛道，后续有望回归基本面驱动的主升轨道。

本周关注

1. 长鑫科技上市满一周后的走势：首周累计涨超5倍后，次周是否存在获利回吐压力，以及其对板块资金面的持续影响。

2. 中报季深入：8月进入A股中报密集披露期，芯片设计板块业绩兑现情况将成为验证产业景气度的关键窗口。

风险提示

基金过往业绩不代表未来表现，基金管理人及基金经理管理的其他基金的业绩并不构成对本基金业绩表现的保证。投资者在购买基金前应仔细阅读基金招募说明书与基金合同，请根据自身投资目的、投资期限、投资经验等因素充分考虑自身的风险承受能力，在了解产品情况及销售适当性意见的基础上，并符合自身风险承受能力的前提下，理性判断并谨慎做出投资决策。指数基金存在跟踪误差。观点仅供参考，不构成投资建议，市场有风险，投资需谨慎。指数历史涨幅不构成对基金产品未来收益的预测及保证，仍有亏损风险。科创芯片设计指数（950162）2021年收益率为7.73%，2022年收益率为-42.51%，2023年收益率为4.75%，2024年收益率为35.54%，2025年收益率为60%。

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