扬州国宇电子申请双向电流响应差异薄膜电阻及制备方法专利，电流方向不同器件呈现不同阻值_电池资讯

扬州国宇电子申请双向电流响应差异薄膜电阻及制备方法专利，电流方向不同器件呈现不同阻值

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2025-07-09 20:09:16

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金融界2025年7月9日消息，国家知识产权局信息显示，扬州国宇电子有限公司申请一项名为“一种双向电流响应差异薄膜电阻及制备方法”的专利，公开号CN120282457A，申请日期为2025年04月。

专利摘要显示，本发明属于半导体器件技术领域，提供了一种双向电流响应差异薄膜电阻及制备方法，其中电阻包括N型硅衬底；氧化层设置于N型硅衬底上；第一窗口开设于氧化层上；P型掺杂区由第一窗口注入P型离子形成；薄膜层包括间隔设置且阻值不同的第一电阻和第二电阻；钝化层设置于氧化层和薄膜层上；第二窗口开设于钝化层上，对应第一窗口B设置；N型掺杂区由第二窗口注入N型离子形成；第三窗口开设于钝化层上；正面金属层分别形成第一电极、第二电极、第一测试PAD和第二测试PAD。本发明提供的薄膜电阻，当正向电流经过器件时其中一电阻生效，当反向电流经过器件时另一电阻生效，电流方向不同，器件呈现不同的阻值。

天眼查资料显示，扬州国宇电子有限公司，成立于2006年，位于扬州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本26479.72342万人民币。通过天眼查大数据分析，扬州国宇电子有限公司参与招投标项目73次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息94条，此外企业还拥有行政许可56个。

来源：金融界

国宇显示电流阻值器件电子电阻薄膜扬州专利氧化层

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