北方集成电路技术创新中心申请半导体结构及其形成方法专利，在提高半导体结构的响应度的同时还提升了半导体结构的带宽
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2026-08-18 13:51:35
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国家知识产权局信息显示，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN122602619A，申请日期为2025年2月。
专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，基底包括光电转换区；在光电转换区的基底的顶部形成光电探测结构，光电探测结构包括光吸收层以及与光吸收层的两侧相接触的第一掺杂层，且光吸收层两侧的第一掺杂层的掺杂类型不同；在光吸收层两侧的第一掺杂层的顶部形成限制光场层，且限制光场层的延伸方向与第一掺杂层的延伸方向相同。在提高半导体结构的响应度的同时还提升了半导体结构的带宽，有效地缓解了半导体结构的响应度和带宽之间的矛盾。
天眼查资料显示，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司，成立于2017年，位于北京市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本20000万人民币。通过天眼查大数据分析，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司参与招投标项目23次，财产线索方面有商标信息13条，专利信息682条，此外企业还拥有行政许可126个。
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来源：市场资讯
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