新忆科技申请存储器高压阵列驱动电路专利，显著提升存储器的集成密度
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2026-08-21 17:48:32
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国家知识产权局信息显示，北京新忆科技有限公司申请一项名为“一种存储器的高压阵列驱动电路”的专利，公开号CN122619050A，申请日期为2026年4月。
专利摘要显示，本发明涉及驱动电路技术领域，公开了一种存储器的高压阵列驱动电路，包括级联的第一高压NMOS晶体管和第二高压NMOS晶体管，第一晶体管连接输入电压端与第一控制信号端，第二晶体管连接输出驱动端与第二控制信号端。两个晶体管集成于半导体衬底的同一连续P型阱区内，并利用漏极与源极直接合并的共有源区结构，省去了级联节点的金属互连及阱间隔离带。电路利用八伏特高压控制信号对中压器件进行栅极过驱动，在导通时建立低阻抗通道，实现二伏特至三点三伏特操作电压的无损传输。本发明有效解决了现有互补结构版图面积大的问题，显著提升了存储器的集成密度、信号传输速度及电路的关断隔离性能。
天眼查资料显示，北京新忆科技有限公司，成立于2018年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本3218.1273万人民币。通过天眼查大数据分析，北京新忆科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息11条，专利信息50条，此外企业还拥有行政许可5个。
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来源：市场资讯
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